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彭海琳教授团队发现超高迁移率二维半导体BOX

日期:2018-01-09 16:35:24    作者:院办公室    浏览量:2922 次

近日,彭海琳教授团队及其合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。系统的输运测量表明:CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s,展示了显著的SdH量子振荡行为;标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率(~2000 cm2/V·s)和霍尔迁移率(~450 cm2/V·s)、很大的电流开关比(>106)以及理想的器件亚阈值摆幅(~65 mV/dec)。、Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料(BOXBi2O2SBi2O2SeBi2O2Te)。结合其出色的环境稳定性和易于规模制备的特点,超高迁移率二维半导体BOX材料体系在构筑超高速和低功耗电子器件方面具有独特优势,有望解决摩尔定律进一步向前发展的瓶颈问题,给微纳电子器件带来新的技术变革,具有重要的基础科学意义和实际应用价值。相关成果发表在《自然·纳米技术》上。

 

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超高迁移率二维半导体BOX 


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